指採用互補式金氧半導體後製程加工方式(Post-Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, Post-CMOS)之感測器疊層技術，透過低溫沉積疊層結構於CMOS晶片上，利用表面成型方式進行加工，配合設計的線寬微縮，維持機械結構的剛性強度，達到多樣感測器微縮且直接與電路整合的多樣化目標，滿足未來物聯網創新應用之技術需求。