化學式SiC，構成的化合物半導體材料。而作為功率元件，常見以4 H-SiC最為適合。而作成MOSFET元件的耐電壓範圍是600 V以上、 尤其是1 kV以上的應用。與當前主流的Si-IGBT相比，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，因此可對應較高頻率操作的應用，進而達成系統小型化。