2024年重要產業技術-化合物半導體

作者：經濟部產業技術司
定價：免費
出版單位： 台經院
出版日期：2024/10/29
出版類型：產業報告
所屬領域：半導體
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化合物半導體材料中，碳化矽(Silicon Carbide, SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap, WBG)、高崩潰電壓(Breakdown Voltage)、高導熱率(Thermal Conductivity)、高度電絕緣 性與高功率密度(Power Density)等幾個關鍵特性，在大量生產第一個可用的元件是肖特 基二極體(Schottky Diode)，之後是J型場效電晶體(Junction Gate Field-Effect Transistor, J-FET)及高速切換的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)，後續又有雙極性接面型電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)，俗稱三極體及晶體閘流管(Thyristor)，簡稱閘流體，統稱功率二極體與功率電晶體。

在電子元件應用中具有快速切換、耐高溫及耐高電壓的功能，在高頻與高功率電子元件及 模組構裝的製程中也具有較理想的熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)，是高頻、高功率以及高散熱需求應用的理想選擇。
總論
化合物半導體元件關鍵技術
化合物半導體材料關鍵技術
化合物半導體晶錠切割設備關鍵技術

表2-1-2-1 《產業創新條例》授權辦法
表2-1-2-2 化合物半導體相關補助計畫

圖2-1-2 經濟部產業技術司法人科技專案—化合物半導體相關研發計畫
圖2-1-2-1 化合物半導體元件關鍵技術
圖2-1-2-2 化合物半導體材料關鍵技術
圖2-1-2-3 化合物半導體晶錠切割設備關鍵技術
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