半導體微影製程設備新興技術發展與產業觀察

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摘要
微影製程的目的是為了在晶圓上製作圖案,隨著半導體線寬愈做愈小,電晶體密度愈來愈高,從奈米進入埃米節點的世代,挑戰著曝光設備的極限,也造就其關鍵地位。目前先進製程使用的EUV價格上億美元,機台組成非常複雜,每小時耗能上百萬瓦,平均每片晶圓耗能也有上仟瓦。所以更省能源、材料、簡單的曝光技術,持續有科學家在進行研究。先進製程的部份,除了EUV下世代機台採用更高NA值的物鏡、更快速的晶圓傳送平台等硬體設施,來達到高解析和高吞吐量之外,包括乾式光阻和自組裝技術,也已經從研究階段進入驗證階段。封裝段的部份,先進封裝對微影製程的依賴性增加,吸引數十間廠商進入市場。為了降低封裝過程中的曝光製程成本,出現了無光罩的奈米壓印和雷射直寫技術,主要供應商包括EV Group和Suss Microtec。未來,這些創新半導體微影製程設備發展,也會帶領相關的光罩設備、量檢測技術需求。整體來說,曝光技術是未來半導體製造的關鍵,目前看來也已經不再單單只朝向雷射投射光罩技術發展。全球各大設備商、研發單位都持續努力,我國在這個領域,過去比較少墨,自主性較低,未來也許透過國際合作,進入全球標杆廠商供應鏈進而參與共同開發,較能快速掌握關鍵技術與產業趨勢。


內文標題
一、半導體微影製程設備的重要性
二、半導體微影製程設備的新興技術
三、半導體微影製程設備的產業觀察
四、結語

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