報告大綱

功能不斷整合以及時滿足市場需求  以消費者需求為核心、而非技術導向

從未來應用情境與需求驅動力 轉化為關鍵領域與關鍵技術

雲端運算趨勢  帶動儲存(storage)需求商機

半導體技術大勢  More Moore v.s More than Moore

曝光設備不斷演進 以滿足製程微縮需求

No Proven Optical Solution below 22nm

隨著製程快速推進 在相同晶片面積大小下，約每2年容量倍增

CMOS效能提升的驅動力 從製程微縮轉向多元創新

半導體往微小化與功能整合趨勢發展  高度整合晶片時勢所趨

智慧型手機對Low Power DRAM及NAND Flash需求快速成長

iPhone 3G  iPhone 3GS

iPhone 4拆解

Memory + Logic從PoP到TSV  縮小體積、降低功耗、提升速度

DRAM和NAND Flash為全球記憶體兩大支柱，2009~2014 CAGR分別為10%及14%包含新世代記憶體在內的Others之CAGR為12

從系統架構看記憶體應用層級(Memory Hierarchy)

新世代記憶體(Emerging Memory)的種類

產品生命週期(Product Lifecycle)

新世代記憶體技術Hype Cycle

新世代記憶體研發進展

新世代記憶體的種類(揮發性Volatile Memory)

ZRAM (Zero Capacitor RAM) and TRAM(Thyristor RAM)

新世代記憶體的種類(非揮發性Non-Volatile Memory)

萬能記憶體(Universal Memory)必備特性  Access+Storage

新世代記憶體成本/效能比較示意圖  持續進展中

全球FeRAM的發展

全球PCM的發展

全球MRAM的發展

全球RRAM的發展

國內外廠商投入新世代記憶體概況(一)

國內外廠商投入新世代記憶體概況(二)

工研院研發RRAM具優異研發成果

韓國Memory具龍頭領先地位，從3構面為客戶帶來新價值

三星提出PCM之Instant-architecture應用架構

三星以PCM取代NOR Flash  從手機應用往其他應用邁進

三星及海力士在STT-MRAM合作發展  為450mm之載具

新世代記憶體產品化時程預估

新世代記憶體對主流記憶體產業帶來新衝擊

Memory具重要戰略地位，世界各國兵家必爭之地，台灣是關鍵