摘要
隨著5G與IoT機能的擴張，以及對裝置電子化議題日漸蓬勃發展，對充電以及新能源的轉換需求大舉擴增，造成市場對功率半導體需求不斷增加。隨著IoT產品普及速度加快，元件耗電的問題成為下階段半導體發展的重要課題。為達到Trillion sensors的時代，2020年後的電子元件將聚焦在超低功耗的解決方案的開發上。寬能隙(Wide Band-gap)材料所製備的功率半導體由於能提升電力使用效率，因此近年來備受矚目，特別是在電源供應器、電動車、鐵路運輸等電力電子系統應用層面漸形廣泛。因應功率半導體的需求擴大化，材料選擇的選擇上，除了克服SiC與GaN材料與矽基材料的不同點以提升良率外，如何進一步降低材料成本成為製程上有待克服之處。相信隨著新興應用的需求的日漸開展，多樣化的功率半導體產品亦將逐步滲透到我們的日常生活當中，成為不可或缺的半導體元件技術。
內文標題/圖標題
一、應用廣泛的功率半導體
二、碳化矽功率元件(SiC Power Device)材料特性與發展課題
三、氮化鎵功率元件(GaN Power Device)材料特性與發展課題
四、結論
圖1 功率半導體市場規模預估