下世代記憶體技術趨勢與全球競合分析，包含主流記憶體的市場發展趨勢及下世代記憶體技術發展趨勢。主流記憶體包含DRAM、NAND Flash、NOR Flash、及SRAM等。下世代記憶體包含RRAM及STT-MRAM等。

目錄
第一章　緒　論
第一節　研究背景
第二節　研究目的
第三節　研究範圍
第四節　研究方法
第五節　研究架構
第二章　全球記憶體產業發展趨勢
第一節　全球電子系統產品發展趨勢
第二節　全球記憶體市場發展趨勢
第三章　全球下世代記憶體技術發展趨勢
第一節　全球下世代記憶體技術種類
第二節　全球下世代記憶體技術發展概況
第四章　全球下世代記憶體廠商競合分析
第一節　全球下世代記憶體廠商發展動態
第二節　全球下世代記憶體廠商競合態勢
第五章　台灣下世代記憶體發展策略與建議
第一節　台灣下世代記憶體發展策略
第二節　台灣下世代記憶體發展建議

圖目錄
圖 1-1 研究範圍
圖1-2 研究架構圖
圖2-1 未來應用情境與需求驅動力趨勢
圖2-2 全球桌上型電腦(DT)出貨量預估
圖2-3 全球筆記型電腦(NB)出貨量預估
圖2-4 全球平板電腦(Media Tablet)出貨量預估
圖2-5 全球手機(Digital Cellular Handsets)出貨量預估
圖2-6 全球數位相機(DSC)出貨量預估
圖2-7 全球液晶監視器(LCD Monitor)出貨量預估
圖2-8 全球薄型TV 出貨量預估
圖2-9 全球遊戲機(Game Console)出貨量預估
圖2-10 電子系統產品發展趨勢(輕薄短小多省廉快美)
圖2-11 半導體技術趨勢(More Moore and More than Moore)
圖2-12 DRAM 製程線寬示意圖
圖2-13 NAND Flash 製程線寬示意圖
圖2-14 記憶體產品生命週期示意圖
圖2-15 全球記憶體容量之市場預測
圖2-16 全球記憶體市場規模預測
圖2-17 全球各類型記憶體產品市場預測
圖2-18 全球DRAM 市場規模預測
圖2-19 全球各容量DRAM 產品出貨量比重
圖2-20 全球DRAM 現貨價格趨勢
圖 2-21 全球NAND Flash 市場規模預測
圖2-22 全球各容量NAND Flash 產品出貨量比重
圖2-23 全球NAND Flash 現貨價格趨勢
圖2-24 全球NOR Flash 市場規模預測
圖2-25 全球各容量NOR Flash 產品出貨量比重
圖2-26 全球SRAM 產品市場
圖2-27 全球各容量SRAM 產品出貨量比重
圖3-1 全球下世代記憶體技術種類
圖3-2 DRAM 結構示意圖
圖3-3 NOR Flash 結構示意圖
圖3-4 NAND Flash 結構示意圖
圖3-5 萬能記憶體必備之特性
圖3-6 PCM 結構說明圖
圖3-7 PCM 結構圖
圖3-8 RRAM 結構說明圖
圖3-9 RRAM 結構示意圖
圖3-10 STT-MRAM 結構說明圖
圖3-11 STT-MRAM 結構圖
圖3-12 全球DRAM 製程技術發展概況
圖3-13 DRAM 面臨製程微縮瓶頸挑戰
圖3-14 全球NAND Flash 製程技術發展概況
圖3-15 NAND Flash 面臨製程微縮瓶頸挑戰
圖3-16 NAND Flash 在16nm 將面臨製程微縮的重大挑戰與瓶頸
圖3-17 NOR Flash 面臨製程微縮瓶頸挑戰
圖 3-18 記憶體面臨製程微縮瓶頸挑戰
圖3-19 16nm 以下曝光技術的挑戰
圖3-20 CT Flash 只解決FG 的部分問題
圖3-21 預計2015 NAND Flash 會從2D 走向3D
圖3-22 3D Memory 示意圖
圖3-23 3D 堆疊層數與NAND Flash 成本關連
圖3-24 各種3D Flash 技術演進
圖3-25 下世代記憶體效能與成本比較圖
圖3-26 RRAM 操作電流與操作速度發展趨勢圖
圖3-27 RRAM 的可讀寫次數發展趨勢圖
圖3-28 三星展示5nm 的RRAM 研發成果
圖3-29 RRAM 材料之選用應聚焦在晶圓廠內現有的材料為宜
圖3-30 垂直式SPRAM(STT-MRAM)有潛力取代DRAM
圖3-31 主流記憶體與下世代記憶體之技術指標比較
圖3-32 STT-MRAM 有機會取代DRAM
圖3-33 RRAM 有機會取代NAND Flash
圖3-34 RRAM 和STT-MRAM 有機會取代NOR Flash
圖3-35 下世代記憶體商品化觀測指標4 階段
圖3-36 主要電子系統產品對記憶體的關鍵需求排序
圖3-37 記憶體應用層級
圖3-38 記憶體在電子系統產品中的應用定位
圖3-39 嵌入式記憶體在SoC 中的比重
圖4-1 三星電子在下世代記憶體之佈局時程規劃
圖5-1 跨國「虛擬一條龍」的整合概念
圖 5-2 成立Stand-alone 下世代記憶體跨國技術研發聯盟整合概念
圖5-3 記憶體應用市場區隔說明
圖5-4 台灣鎖定小而美利基型Stand-alone 產品及SoC 產品
圖5-5 下世代記憶體研發聯盟邀請會員說明
圖5-6 下世代記憶體研發聯盟及SIG 合作計畫說明
圖5-7 主流記憶體與下世代記憶體共存之系統示意圖

表目錄
表 3-1 全球DRAM 及NAND Flash 製程技術發展藍圖
表3-2 微縮瓶頸對記憶體產品的影響
表3-3 2D Flash 與3D Flash 技術比較
表3-4 各種3D Flash 技術與結構比較說明
表3-5 主流記憶體技術指標比較
表3-6 下世代記憶體技術指標比較
表4-1 全球下世代記憶體相關產學研機構
表4-2 全球投入下世代記憶體之相關單位
表4-3 三星電子手機出貨量急起直追
表4-4 三星電子智慧手機出貨量超越Apple
表4-5 台灣與三星在下世代記憶體方面的競爭分析
表5-1 台灣在下世代記憶體的競爭策略
表5-2 記憶體應用市場區隔