台灣三五族半導體磊晶技術經由LED產業多年經驗之發展，產業面建立良好的基礎，在通訊產品價格急速下滑，大廠急欲控制成本的當下，國內業者如何能善用之前LED磊晶技術與控制成本的優勢，是台灣發展通訊三五族磊晶產業的切入機會之一。不過由於通訊元件材料的磊晶品質會直接影響到最後元件應用的特性，一般新進砷化鎵HBT磊晶片廠商必經超過一年以上的認證時間，對台灣廠商來說具有相當之挑戰。尤其觀察砷化鎵產業的發展，可發現市場訂單集中在少數IDM大廠手中的態勢逐漸增加，因此對三五族上游磊晶業者來說，在客戶數受限影響下，如何強化產品多樣性並真接掌握與大廠合作機會，將成車國內磊晶業者立足市場的關鍵。

===章節目錄===
第一章　緒論 1
　第一節　 研究動機與目的 1
　第二節　研究範圍與方法 3
　第三節　研究架構 6
第二章　三五族半導體市場與通訊半導體應用需求現況趨勢分析 7
　第一節　全球三五族主要應用領域終端產品市場現況與趨勢 7
　第二節　全球三五族PA與MMIC廠商發展策略 18
　第三節　台灣三五族半導體製造產業市場現況與發展 23
第三章 全球磊晶市場趨勢與台灣磊晶產業發展概況 29
　第一節 磊晶技術與市場-全球MOCVD、MBE磊晶市場與設備需求現況 29
　第二節 磊晶技術與市場-材料特性與市場GaAs v.s. Inp 38
　第三節　三五族磊晶技術與市場-元件特性與市場HBT、PHEMT、MESFET 46
　第四節 國外廠商發展模式與代表廠商 52
　第五節 三五族磊晶產業發展趨勢與議題分析 64
　第六節 台灣磊晶產業現況 75
　第七節 國內廠商發展模式與代表廠商 80
　第八節 台灣三五族磊晶產業發展機會與挑戰 83
第四章　三五族射頻IC與元件技術發展分析 93
　第一節　三五族半導體元件技術分析 93
　第二節　三五族元件技術分析 112
第五章　結論與建議 157
　第一節 結論 157
　第二節 三五族磊晶產業之切入機會分析與建議 166



====圖目錄====
圖1-1　 研究架構 6
圖2-1　 主要無線通訊終端產品發展進程 8
圖2-2　 GaAs無線通訊應用整體市場規模 9
圖2-3　 2000年GaAs MMIC對高頻的需求 10
圖2-4　 1999~2001年PA市場規模 13
圖2-5　 全球主要地區MMIC市場規模 15
圖2-6　 全球行動電話市場規模2001~2006 16
圖2-7　 2005年GaAs MMIC各主要頻段領域市場規模 17
圖2-8　 整體GaAs MMIC市場預估2000~2005 17
圖3-1 全球磊晶圓市場2001~2006年 35
圖3-2 MOCVD磊晶圓全球各主要市場2001~2006年 35
圖3-3 MBE磊晶圓全球各主要市場2001~2006年 36
圖3-4 第三代行動電話技術進程 41
圖3-5 各主要通訊元件於頻率與電壓關係 47
圖3-6 全球2001~2006年MOCVD磊晶市場 50
圖3-7 GaAs MOCVD各尺寸磊晶圓市場 65
圖3-8 GaAs MBE各尺寸磊晶圓市場 66
圖3-9 MOCVD製磊晶圓平均售價 67
圖3-10 MBE製磊晶圓平均售價 67
圖3-11 我國MOCVD機台成長概況 76
圖3-12 台積電SiGe技術發展進程 91
圖3-13 三五族及SiGe市場的預估 92
圖4-1 　手機內部硬體架構 96
圖4-2 　WCDMA射頻電路系統架構圖 99
圖4-3 　WLAN (802.11b)基本硬體架構圖 101
圖4-4 　WLAN (802.11a)基本硬體架構圖 101
圖4-5 　未來無線網路基本件構圖 103
圖4-6 　多模態手持裝置基本硬體架構 104
圖4-7 　外加電場和電子移動速度關係圖 117
圖4-8 　MBE系統圖 120
圖4-9 　MOCVD系統圖 121
圖4-10　化合物半導體元件製作過程 123
圖4-11　元件發展歷程演進 127
圖4-12　各元件的頻率演進歷程 128
圖4-13　砷化鎵MESFET結構圖 131
圖4-14　砷化鎵/砷化鋁鎵HEMT結構圖 132
圖4-15　砷化鎵/砷化鋁鎵二維電子氣能帶圖 133
圖4-16　砷化鎵pHEMT結構圖 134
圖4-17　GaAs HEMT和InP HEMT結構比較圖 134
圖4-18　截止頻率fT和閘極長度關係圖 137
圖4-19　HBT結構圖 140
圖4-20　HBT能帶圖 141
圖4-21　各元件之最高截止頻率(Peak fT)和崩潰電壓的關係圖 148
圖4-22　場效電晶體雜訊和操作頻率的關係圖 148
圖4-23　手機基本內部硬體架構圖 152
圖5-1 GaAs無線通訊應用整體市場規模 158


====表目錄====
表2-1　 GaAs MMIC市場規模2000-2005 10
表2-2　 國內砷化鎵代工廠商建廠資料 25
表3-1 2001年全球GaAs磊晶圓市場規模 31
表3-2 2001年磊晶廠商MOCVD、MBE市場佔有率 33
表3-3 射頻IC材料與元件各主要特性比較 39
表3-4 全球三五族應用於功率放大器之市場規模 42
表3-5 三五族及SiGe的廠商營收及產品比較 42
表3-6 全球2000~2005年三五族元件別於無線通訊市場規模 50
表3-7 全球主要通訊元件別於功率放大器之市場規模 51
表3-8 日本三五族材料別歷年產值規模統計 59
表3-9 三五族磊晶圓六吋廠現況與未來計畫建廠統計 65
表4-1　 現行無線行動通訊基本規格 95
表4-2　 第三代WCDMA系統之規格 100
表4-3　 WLAN相關系統規格 102
表4-4　 802.11a標準有關訊號在各種不同傳輸率之線性度規格 106
表4-5　 Si與GaAs於PA使用之元件結構 107
表4-6　 功率放大器產品的主要規格 109
表4-7　 3G功率放大器產品的主要規格 110
表4-8　 WLAN功率放大器主要規格 111
表4-9　 GaAs與Si之規格比較 115
表4-10　 Si和三五族化合物半導體的材料參數表 116
表4-11　 各材料基板特性比較表 118
表4-12　 化合物三種磊晶成長方式比較 122
表4-13-1　PA和LNA之產品特性需求分析 126
表4-13-2　三五族元件Need/Seeds矩陣分析 126
表4-14　 MESFET元件技術發展情境表 131
表4-15　 砷化鎵和磷化銦HEMT特性比較表 136
表4-16　 HEMT技術發展情境表 139
表4-17 為HBT技術發展情境表 144
表4-18 三五族半導體各材料元件比較表 145
表4-19　 各元件特性比較表 149
表4-20　 高頻微波半導體之比較 150
表4-21　 各元件技術Roadmap表 151
表4-22　 高頻電路模組電路之製程 153
表5-1　 PA和LNA之產品特性需求分析 162
表5-2　 三五族元件Need/Seeds矩陣分析 162
表5-3　 MESFET元件技術發展情境與技術預測 162
表5-4　 HEMT技術發展情境與技術預測 163
表5-5 HBT技術發展情境與技術預測 164