根據Gartner Dataquest於2007年3月的報告中指出，2006年Flash營收總額已超過兩百億美元(NOR Flash與NAND Flash合計202.3億美元)。而Flash受到手機多媒體的需求帶動下，將朝向更大容量、更高讀寫速度邁進，但目前所使用的Floating Gate Flash技術，在45nm之後將會面臨製程微縮上的瓶頸。

面對Flash所將面臨的技術瓶頸，許多先進廠商投入鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access Memory；FeRAM)、磁阻記憶體(Magnetoresistance Random Access Memory；MRAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM)等次世代記憶體的開發，為未來非揮發性記憶體市場進行更長遠的佈局。這些次世代記憶體與現今主流的非揮發性記憶體Flash，有著截然不同的設計原理，及其優越的效能。本研究除了關心次世代記憶體對Flash的影響外，也需考量對其它主流記憶體，像是DRAM及SRAM的市場衝擊。本專題從效能成本、專利及廠商狀態各方面，去推測次世代記憶體的未來發展趨勢，進而提出台灣產業機會分析。

本研究指出，PCM對主流記憶體衝擊較強，預測其未來市場規模較FeRAM和MRAM大，而且國外先進廠商投入PCM的研發較晚，加上台灣投入PCM的研發，相較於FeRAM與MRAM來的多。根據未來市場潛力、國外廠商及台灣的研發投入狀態，相較於FeRAM與MRAM，台灣廠商投入PCM研發是比較有機會的。

====章節目錄====

第一章　緒　論 1-1
　第一節　研究緣起 1-1
　　一、手機多媒體帶動Flash的發展 1-1
　　二、未來Flash技術可能遭遇的瓶頸 1-3
　　三、延續Flash微縮極限的改良技術 1-4
　　四、次世代記憶體躍躍欲試取代主流記憶體市場 1-8
　第二節　研究範圍 1-9
　　一、主流記憶體 1-10
　　二、Flash改良技術 1-11
　　三、次世代記憶體 1-12
　第三節　研究方法 1-14
　　一、由效能與成本比較推測次世代記憶體的未來市場潛力 1-14
　　二、由專利角度推測廠商對次世代記憶體的研發投入狀態 1-15
　第四節　研究架構 1-22
第二章　鐵電記憶體(FeRAM) 2-1
　第一節　技術簡介 2-1
　第二節　未來市場潛力 2-3
　　一、FeRAM與主流記憶體的效能比較 2-3
　　二、FeRAM與主流記憶體的成本比較 2-4
　　三、由效能和成本比較推測FeRAM的未來市場潛力 2-5
　第三節　先進廠商專利佈局 2-7
　　一、專利家族分析 2-7
　　二、專利被引證頻率分析 2-10
　第四節　小結 2-12
第三章　磁阻記憶體(MRAM) 3-1
　第一節　技術簡介 3-1
　第二節　未來市場潛力 3-3
　　一、MRAM與主流記憶體的效能比較 3-3
　　二、MRAM與主流記憶體的成本比較 3-4
　　三、由效能和成本比較推測MRAM的未來市場潛力 3-5
　第三節　先進廠商專利佈局 3-7
　　一、專利家族分析 3-7
　　二、專利被引證頻率分析 3-10
　第四節　小結 3-12
第四章　相變化記憶體(PCM) 4-1
　第一節　技術簡介 4-1
　第二節　未來市場潛力 4-3
　　一、PCM與主流記憶體的效能比較 4-3
　　二、PCM與主流記憶體的成本比較 4-4
　　三、由效能和成本比較推測PCM的未來市場潛力 4-5
　第三節　先進廠商專利佈局 4-7
　　一、專利家族分析 4-7
　　二、專利被引證頻率分析 4-10
　第四節　小結 4-12
第五章　台灣產業機會分析 5-1
　第一節　次世代記憶體廠商發展動態 5-1
　　一、FeRAM 5-1
　　二、MRAM 5-3
　　三、PCM 5-5
　第二節　台灣的產業機會 5-8


====圖目錄====

圖1-1 NOR Flash與NAND Flash的設計架構示意圖 1-2
圖1-2 平均每隻手機的Flash容量 1-3
圖1-3 Flash的操作原理 1-4
圖1-4 Floating Gate Flash結構示意圖 1-5
圖1-5 SONOS結構示意圖 1-6
圖1-6 BE-SONOS結構示意圖 1-7
圖1-7 256Mb DDR取代256Mb DRAM的市場滲透率 1-14
圖1-8 專利家族關係示意題 1-17
圖1-9 DRAM專利與歷史重大事件 1-18
圖1-10 本專題研究架構 1-22
圖2-1 鐵電材料晶體原子結構 2-1
圖2-2 FeRAM與主流記憶體之Cell Size趨勢 2-5
圖2-3 2006年SRAM市場營收比重(By Speed) 2-6
圖2-4 FeRAM美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢 2-8
圖2-5 FeRAM前十名廠商之美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢圖2-6 FeRAM前十名廠商被引證率狀態 2-11
圖3-1 MRAM儲存機制示意圖 3-2
圖3-2 MRAM與主流記憶體之Cell Size趨勢 3-5
圖3-3 2006年SRAM市場營收比重(By Capacity) 3-6
圖3-4 MRAM美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢 3-8
圖3-5 MRAM前十名廠商之美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢圖3-6 MRAM前十名廠商被引證率狀態 3-11
圖4-1 PCM元件架構示意圖 4-2
圖4-2 PCM與主流記憶體之Cell Size趨勢 4-5
圖4-3 2006年NOR Flash市場營收 4-6
圖4-4 PCM美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢 4-8
圖4-5 PCM前十名廠商之美國已核准專利數和他國申請專利數歷年趨勢
圖4-6 PCM前十名廠商被引證率狀態 4-11
圖5-1 2006年Ramtron在FeRAM各領域應用的營收比例 5-2


====表目錄====

表1-1 Samsung的新型CTF技術與傳統Flash技術比較 1-8
表1-2 ITRS所列舉的基線技術記憶體 1-9
表1-3 ITRS所列舉的原型技術記憶體 1-9
表2-1 FeRAM與主流記憶體的效能比較 2-3
表2-2 FeRAM與主流記憶體之效能成本綜合比較 2-6
表3-1 MRAM與主流記憶體的效能比較 3-3
表3-2 MRAM與主流記憶體之效能成本綜合比較 3-6
表4-1 PCM與主流記憶體的效能比較 4-3
表4-2 PCM與主流記憶體之效能成本綜合比較 4-6
表5-1 次世代記憶體綜合比較表 5-8