摘要
標準記憶體IC以資料儲存的特性區分為非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)及揮發性記憶體(Volatile Memory)兩大類，前者利用半導體元件物理機制讓特定數量的電子儲存在記憶體元件裡，不隨電源開關影響，主要類型包含快閃記憶體(Flash Memory)及唯讀記憶體(ROM)；後者需要電源持續供給，才具有儲存資料的能力，主要類型包含靜態隨機存取記憶體(SRAM)及動態隨機存取記憶體(DRAM)，應用於暫存資料的電子產品。隨著電子系統產品發展，促使記憶體製程技術朝向製程微縮及元件異質整合的目標發展，在製程微縮發展至1X奈米以下，DRAM及NAND Flash遭遇元件結構與半導體物理特性先天問題，使得生產技術遇到重大的挑戰與瓶頸，所以為解決物理先天的限制，記憶體結構與製程技術發展朝向立體結構以及下世代記憶體方向。
內文標題/圖標題
一、全球記憶體製程技術發展
二、全球記憶體製程下世代技術發展
三、結論
圖1 全球NAND Flash主要記憶體廠商製程技術藍圖
圖2 全球DRAM主要記憶體廠商製程技術藍圖
圖3 廠商投入下世代記憶體應用領域分布示意圖