摘要
隨著摩爾定律(Moore’s Law)的演進，半導體電晶體製程的線寬不斷的微縮之下，沉積層的平坦化程度與臨界尺度之間的比例相近，導致沉積層的平坦化程度會影響IC最終的良率與效能。從1983年IBM半導體研發部門進行大馬士革法(Damascene)技術研發，在銅製程中採用化學機械研磨技術(Chemical Mechanical Polishing, CMP)方式來進行晶圓表面平坦化處理......
內文標題/圖標題
一、半導體製程平坦化技術
二、結語
圖1 化學機械研磨示意圖
圖2 Via-middle矽穿孔技術製程成本分析