摘要
半導體的發展為了延續摩爾定律，而延伸出後摩爾定律(More Moore)和超越摩爾定律(More than Moore)的概念，前者朝向製程微縮方向發展來延伸，後者透過三維晶片(3D IC)的技術來突破受限的電晶體密度。由圖1的比較，以研發資本支出來看，製程微縮方向的投資費用上遠遠超過3D IC的發展，所以當在微縮遇到挑戰瓶頸時，全球半導體產業也將目光轉向三維晶片(3D IC)同步發展。3D IC是透過堆疊邏輯晶片與記憶體，進而提升系統單晶片(SoC)的效能與資料傳輸頻寬，並縮減面積大小與功耗降低。然而發展3D IC必須從設計工具、製程技術、封裝測試及設備材料等從上而下的產業鏈同步發展，以確保能夠達到量產3D IC終端產品能力，所以發展3D IC製程技術，也因而帶動新的材料和設備需求，為半導體產業挹注另一波成長動能。
內文標題/圖標題
一、前言
二、3DIC發展概況
三、台灣3DIC產業發展趨勢
圖1 製程微縮與3D堆疊的發展方向比較
圖2 3D IC技術演進
圖3 3D TSV應用市場
圖4 應用TSV技術晶圓量