系統級封裝技術分析

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摘要
以封裝型態來看,可分為單一晶片封裝(Single Die)與整合晶片封裝(Multi Die)兩種,若以單一晶片封裝來看,在I/O數較少的情況少,其I/O密度仍不高,是故可以較低封裝成本的QFN(為打線封裝成本較低)及WLCSP(不需載板及扇出,成本較低)為主要封裝型態,當I/O數多到整個封裝的I/O密度太高時,才會考慮用覆晶封裝(Flip Chip,需載板故成本較高)或是扇出型封裝(Fan-out,愈大顆成本愈高);若以整合晶片封裝來看,因其需與同質、異質晶片或被動元件作整合,是故需整合型態的封裝方式如覆晶封裝及扇出型封裝,而當需FC+WB作堆疊時其IO數就會變多。現階段的扇出型封裝在較大的封裝尺寸(Package Area 較大)下其技術性問題較多(如Fan-out area材料與矽晶片的熱膨脹系數不同造成RDL失敗及翹曲(Wappage)等諸多問題),導致良率不佳造成成本上升,是故較大封裝尺寸(>6mmx6mm)仍以覆晶封裝為主,在較小封裝尺寸(<6mmx6mm)下才較有機率使用扇出型封裝進行晶片整合。


內文標題/圖標題
一、系統級封裝(SiP)及模組(SiM)都可達整合目的
二、系統級封裝技術是為微型化封裝後面積同時達整合目的
三、小結

圖1. SiP與SiM分別由封測廠與系統廠所驅動
圖2. SoC、SiP與SoB比較
圖3. 整合被動元件IPD可在相同的成本下,使面積縮小及將天線置於封裝上(AoP)結構

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