台灣半導體蝕刻設備發展現況剖析
作者:陳慧娟
定價:免費
出版單位:金屬中心
出版日期:2016/05/20
出版類型:產業評析
所屬領域:機械設備
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摘要
乾式電漿蝕刻技術,蝕刻氣體以氫氟化物(F)與氯化物(Cl)為主。氟多用於介電材料蝕刻,配合碳氫化合物(C、H)搭配以形成乾式蝕刻反應來源。關鍵模組包含電漿蝕刻模組、RF Generator、電子吸附載盤(ESC;E-chuck)、冷卻循環設備(Chiller)。搭配電漿系統可使氣體游離化,增加蝕刻效果。RF Generator提供異方向性蝕刻與轟擊效果,可達到準直的蝕刻結果,此部分是半導體製程線寬縮小至奈米級(nm)之後,濕式蝕刻製程極難達成的品質標準。ESC可在電漿蝕刻時,提供吸附;He Gas System則能快速降低電漿攻擊所產生的高溫。
內文標題
一、國內半導體蝕刻及設備技術介紹
二、國內半導體蝕刻設備供應鏈現況
三、結論