摘要
過去半導體元件以矽基元件(Silicon-based Devices)為最大宗，隨著高頻元件需求的增加，電子飽和遷移特性極佳的第二代元件材料砷化鎵(Gallium Arsenide；GaAs)化合物半導體元件開始興起，並在高頻元件市場佔據一方。近期則由於再生能源系統、電動車輛等應用對於耐高溫操作、大電壓與大電流的節能高功率元件需求大增，帶動碳化矽(Silicon Carbide；SiC)元件的發展興起。
碳化矽為一晶狀固體，其分子式為SiC，外觀顏色有明亮之淺黃色、綠色或黑色等不同類型，其顏色決定於其所含雜質；外觀顏色較為透明者雜質較低，可用作半導體元件之製作，而外觀顏色較黑者一般則用作結構材料之應用。碳化矽之等級依其所含雜質多寡而有不同，一般而言結晶級碳化矽通常含有遠超過....