摘要
在MRAM的研發上，南韓三星電子(Samsung Electronics)已著手進行，而東芝(Toshiba)則攜手SK Hynix進行共同研發。日本產學研單位和美國龍頭廠商近年也都很注重此一領域，期盼藉以奪回此類低功耗節能半導體之全球主導權。其中一個明顯例子如:東芝(TOSHIBA) 基於日本NEDO（新能源產業技術綜合開發機構）的“常閉計算基礎技術開發項目”的成果所發展之CMOS製程之磁性隨機記憶體STT-MRAM比傳統的MRAM消耗更少的電量，快取的功耗可比SRAM降低80％，可望成為主流NAND Flash的替代型技術。東芝在“2015年美國舊金山國際固態電路會議（ISSCC 2015）上發表了該STT-MRAM的詳細內容。預計生產可取代DRAM的次世代記憶體MRAM。
內文標題/圖標題
一、2015年國際固態會議日本展現常閉非揮發性記憶體技術
二、日美半導體領導機構攜手研發量產技術 並著手改進處理器架構
三、結語
圖1 全球主要前瞻記憶體之供應商