摘要
隨著5G高速通訊時代的到臨，擁有優異高頻響應特性的化合物半導體，亦隨著5G應用的持續發展而日益受到重視，尤其在5G毫米波頻段或是Beyond 5G次太赫茲頻段，InP材料因擁有高達5,400 (cm2/vs)的超高電子遷移率，及比GaAs更高的功率密度，使InP成為未來5G/ B5G頻段，功率放大器的熱門技術選項之一。
另外，波長單色性很好的InP雷射器、調製器、探測器及其模組亦將隨著5G世代的來臨，而更加廣泛應用於光通信領域中，如基於InP的半導體雷射，可適用於數據中心、城域網及接入網等應用，以及骨幹網、城域網及DCI互聯等光通訊聯網領域。此外，InP亦適用於醫療、高端雷射雷達(LiDAR)等各種不同的市場領域。
內文標題/圖標題/表標題
一、InP具備優良材料特性，滿足未來高速通訊與傳輸需求
二、InP在光通訊高速傳輸的應用發展潛力
三、InP在高頻通訊領域的應用發展潛力
四、結論
圖1 InP磊晶片在各應用市場的發展機會
圖2 InP在5G毫米波頻段之應用|
圖3 InP的全球產業供應鏈
表1 InP與其它半導體材料的各項特性比較