3D IC 的TSV製程可分成蝕刻以及填孔兩部分，良好的TSV製程技術可以避免漏電流以及金屬擴散汙染等問題。TSV蝕刻可以經由雷射鑽孔、濕式蝕刻、電漿蝕刻以及極低溫蝕刻來達成，而判定蝕刻的好壞可由TSV的輪廓來決定，在本報告中將深入探討各種蝕刻方法影響TSV輪廓的原因，並分析此四種方法的優劣，以了解不同的蝕刻製程方法適合的產品與市場，最後並剖析未來TSV蝕刻的未來趨勢。
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