我國已邁入90奈米製程，且技術水準與國外先進廠商相當，但當微縮技術走向65奈米、45奈米及32奈米以下製程時，所面臨技術上的挑戰將日益艱難。除此之外，21世紀是全球化競爭的時代，利用智慧財產權來控制、牽制或阻絕其餘競爭者已經是重要的競爭策略與手段。各先進廠商除了不斷克服技術上的瓶頸，更積極進行專利佈局以成為未來奈米電子世代的贏家。
本專題之目的主要是使政府、業界、研發機構及學術界的相關人員，在奈米電子領域能有整體及概括性的瞭解；並透過專利地圖分析可將專利「資訊」加值轉換成有用的專利「情報」，相關人員為各奈米電子技術擬定投資及研發方向時，本書能提供參考的資訊。
本專題將奈米電子技術分成傳統微縮技術、新興記憶體及奈米電子重要設備三方面加以探討。傳統微縮技術如Low-k材料、High-k閘極介電層及絕緣層上矽(SOI)；新興記憶體如磁阻記憶體(MRAM)、相變化記憶體(OUM)及鐵電記憶體(FeRAM)；奈米電子重要設備如化學機械研磨(CMP)、極短紫外光(EUV)微影及原子層沈積(ALD)設備。先探討奈米電子技術專利分析，由歷年專利數分析、專利權人分析、國際專利分類碼分析及引證率分析著手；然後觀察先進廠商專利佈局，進行歷年專利與發明人數、共同發表之專利及奈米電子技術專利相關分析，最後提出結論與建議。
在傳統微縮技術方面，我國產業界在Low-k方面較SOI及High-k具有技術上的優勢，但因65奈米製程的Low-k材質至今尚無明確的研發方向，需研發機構及學術界評估其導入奈米電子製程的可能性，以協助產業界未來量產。在新興記憶體方面，因MRAM有機會取代手機記憶體的市場，相較於FeRAM及OUM而言，更有機會成為未來記憶體的主流；建議我國產業界採用快速跟隨者(Quick Follower)的策略，期望未來以最快的時間導入量產。在奈米電子重要設備方面，我國在CMP具有技術上的優勢，建議產業界自行發展；考量ALD未來大量應用的可能性以及各先進廠商投入研發才剛起步，雖然我國目前投入的研發能量低，仍建議產業界積極投入，若必要時再尋求國外技術轉移以加強發展。