化合物半導體材料中，碳化矽(Silicon Carbide, SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap, WBG)、高崩潰電壓(Breakdown Voltage)、高導熱率(Thermal Conductivity)、高度電絕緣 性與高功率密度(Power Density)等幾個關鍵特性，在大量生產第一個可用的元件是肖特 基二極體(Schottky Diode)，之後是J型場效電晶體(Junction Gate Field-Effect Transistor, J-FET)及高速切換的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)，後續又有雙極性接面型電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)，俗稱三極體及晶體閘流管(Thyristor)，簡稱閘流體，統稱功率二極體與功率電晶體。
在電子元件應用中具有快速切換、耐高溫及耐高電壓的功能，在高頻與高功率電子元件及 模組構裝的製程中也具有較理想的熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)，是高頻、高功率以及高散熱需求應用的理想選擇。