根據Gartner Dataquest於2007年3月的報告中指出,2006年Flash營收總額已超過兩百億美元(NOR Flash與NAND Flash合計202.3億美元)。而Flash受到手機多媒體的需求帶動下,將朝向更大容量、更高讀寫速度邁進,但目前所使用的Floating Gate Flash技術,在45nm之後將會面臨製程微縮上的瓶頸。
面對Flash所將面臨的技術瓶頸,許多先進廠商投入鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access Memory;FeRAM)、磁阻記憶體(Magnetoresistance Random Access Memory;MRAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory;PCM)等次世代記憶體的開發,為未來非揮發性記憶體市場進行更長遠的佈局。這些次世代記憶體與現今主流的非揮發性記憶體Flash,有著截然不同的設計原理,及其優越的效能。本研究除了關心次世代記憶體對Flash的影響外,也需考量對其它主流記憶體,像是DRAM及SRAM的市場衝擊。本專題從效能成本、專利及廠商狀態各方面,去推測次世代記憶體的未來發展趨勢,進而提出台灣產業機會分析。
本研究指出,PCM對主流記憶體衝擊較強,預測其未來市場規模較FeRAM和MRAM大,而且國外先進廠商投入PCM的研發較晚,加上台灣投入PCM的研發,相較於FeRAM與MRAM來的多。根據未來市場潛力、國外廠商及台灣的研發投入狀態,相較於FeRAM與MRAM,台灣廠商投入PCM研發是比較有機會的。