為了追求甚至超越摩爾定律(More than Moore’s Law),新興製程技術-三維積體電路(3D IC)的概念逐漸浮出檯面且其關鍵製程技術亦陸續積極研發中。3D IC關鍵製程技術包括矽晶直通孔(Through-Silicon-Via,TSV)、晶圓級接合(Wafer Level Bonding)及晶圓薄化(Wafer Thinning),如何達到各關鍵製程之最佳化將直接影響到整體3D IC電路系統整合良率及品質的要求。
一、前言
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