半導體製造業發展與新興技術契機

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內容摘要

從生產面來看未來IC製造產業版圖開始出現新一波客戶端需求重整
10nm製程成為廠商技術能力分水嶺,也造成各競爭國晶圓代工產能發展差異
7nm以下微縮製程需倚賴EUV技術的推進,創新材料與設備技術將有助於提升7nm以下製程的產出穩定度
2018年後,記憶體技術演進朝向高容量、低功耗進行發展,高信賴性的多層次堆疊技術將決定廠商競爭力
2018年後從資本投資來觀察IC製造業發展,記憶體競爭日趨白熱化,晶圓代工呈現大者橫大的趨勢

大綱目錄

總頁數共"16"頁

半導體製造業發展與新興技術契機

大綱

7nm製程大亂鬥,廠商技術訴求各有不同

晶圓代工產能預估(1)-中國vs.韓國

晶圓代工產能預估(2)-台灣vs.北美

線寬更精細,效能更穩定 - 創新材料與設備技術協助7nm以下製程的推進

記憶體技術演進朝向高容量、低功耗

3D NAND Flash技術攸關未來高容量SSD演進

2018年後IC製造業發展 - 從資本投資來觀察

以MOSFET晶片結構來理解現有Si-base半導體製程與困境

如果不用電子傳輸訊號,改用光子 - 矽光子晶片技術的可能性

矽光子單晶片有賴光源整合技術來實現

量子運算威力 - 量子退火運算速度理論上比傳統退火運算要快約1億倍

矽光子技術vs.量子晶片技術

結論

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