內容摘要

主要大綱為:
1. Why?為何要前瞻記憶體? DRAM及Flash將在16nm以下遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸前瞻記憶體可突破限制，在2016~2021年開始取代主流記憶體；
2. When?大廠怎麼看前瞻記憶體? 具未來發展潛力的前瞻記憶體技術需具備以下特性運作機制為已知，並具有良好的效能(Performance) 在16nm以下，可再微縮多個世代在5~10年內(2016~2021)可準備好試產在8個前瞻記憶體技術中，除PCM外，以STT-MRAM與RRAM較具未來發展潛力；
3. What? 前瞻記憶體的應用?取代觀點 SRAM系統CPU快取記憶體非常強調速度、讀取次數、Logic整合性 STT-MRAM DRAM系統工作記憶體強調速度、讀取次數 RRAM、STT-MRAM NOR Flash存程式碼強調讀取速度  RRAM、STT-MRAM 、PCM NAND Flash存大量資料強調大容量和成本、速度和可讀取次數不是最重點 RRAM、STT-MRAM、PCM ；
4. What? 前瞻記憶體的應用?系統關鍵需求觀點首先1. 智慧可攜裝置強調省電、容易使用、速度不是最重點STT-MRAM、RRAM、PCM 其次2. PC / 伺服器強調效能、可靠性、讀取次數STT-MRAM、 RRAM、PCM；