半導體前段製程之Low K與High K 材料發展分析

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出版作者哈建宇

出版單位工研院IEK系統能源組

出版日期 2004/09/17

出版類型產業評析

所屬領域半導體

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摘要

在半導體前段先進製程上，對關鍵性的閘極氧化層導入High K介電質(dielectric)，同時設計出以更Low K介電質作為銅互連絕緣的材料需求，決定著晶片產業是否能持續縮小線寬，並滿足由國際半導體技術藍圖(ITRS，International Technology Roadmap for Semiconductors)所制訂的功率和性能目標。 ITRS冀望在2006年的時候能夠在65nm製程裡...