手機的發展趨勢朝向多功能、高效能、加長待機時間及輕薄短小發展，其手機記憶體Flash未來亦朝向更大容量、更快速度及更高使用壽命邁進，但Flash逐漸面臨一些技術上的瓶頸。例如，Intel預測Flash之微縮極限在45奈米製程，如此將會限制更高容量的發展；資料讀寫的時間長(約10μs)，將限制其速度；而反覆讀寫次數約106次，限制其使用壽命。面對Flash所將面臨的技術瓶頸，許多先進廠商投入鐵電記憶...
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