磁阻記憶體(Magnetoresistance Random Access Memory；MRAM)主要是利用巨磁阻(Giant Magnetoresistance；GMR)或穿隧式磁阻(Tunnel Magnetoresistance；TMR)來當作儲存記憶胞(Memory Cell)。藉由電流產生磁場，使得上下鐵磁層的磁耦極形成順向或反向排列。當上下鐵磁層的磁耦極方向呈現順向排列的時候，其為一...
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