LED 依照其製作過程大致可分為上游磊晶成長、中游晶粒製作及下游封裝等三個階段。上游製程主要是在晶圓上成長多層不同厚度之多元磊晶薄膜材料，如二元的GaN、GaSb與GaAs、三元的AlGaAs、AlGaP 與InGaAs ，以及四元的AlInGaP、InAlGaAs等，LED之波長、亮度等特性主要由此階段所控制，因此在整個產業鏈中，此階段的附加價值最高，如【圖1】所示。
一、LED製程與設備簡介
二、本土設備企業
三、結論
圖1 LED磊晶、晶粒前段製程與設備
圖2 LED晶粒後段製程與設備
圖3 LED封裝製程與設備
表1 珠江三角洲主要LED設備商之開發設備彙整表
表2 長江三角洲主要LED設備商彙整表
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