由於氮化鎵(GaN)具有優異的能量轉換效率(Conversion Efficiency)，短期內用於轉能器(14V ->200- 400V DC-DC converters)，以及充電系統(Battery Chargers，包含 on-board 3.6 & 7.2 kW，以及後來的off-board 50kW以上)等，典型的負載點(Point-of-Loads；POL)較多。例如增強型氮化鎵(eGaN)FET的應用在特定應用領域將可望發揮極大的作用。實際的應用場域如馬達驅動器、工業自動化、具高功率密度的DC-DC轉換器、POL轉換器、DC-DC與AC-DC轉換器的同步整流器、及發光二極體照明…等。其中尤其氮化鎵(GaN)於傳能系統之切換頻率可提升，因此在無線傳能(Wireless Power)或充電系統(Chargers)有非常廣泛的應用。
一、氮化鎵(GaN)半導體可應用於中高頻無線充電元件
二、氮化鎵(GaN)半導體亦可應用於高頻毫米波系統
三、小結
圖一 氮化鎵(GaN)應用於中高頻無線充電之廣泛應用