第三代車燈半導體材料興起，以高亮度發光二極體(LED)最受矚目，GaN(氮化鎵)半導體材料的應用始於1970年代，在高頻與高溫條件下能夠激發光源的獨特性質，但是GaN的成長技術與零組件製造技術直到近幾年才取得了商業應用的突破；半導體材料車燈的興起，是以氮化鎵基材料的高亮度LED車燈為應用訴求重點。...
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