非揮發性記憶體Flash大量用於可攜帶式電子產品，但Intel預測其微縮極限在45奈米製程，故各先進廠商積極開發，而磁阻記憶體(MRAM)兼具現有主流記憶體DRAM、SRAM及Flash的優點，被視為新一代非揮發性記憶體的候選者，故各先進廠商積極參與研究，以成為下一個市場的贏家。...
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