相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM)，主要是在相變化材料(Crystalline GST)的上下之間分別製作電極材料來作為電流流通的路徑，在相變化材料與下電極之間加入加熱電極的拴塞填充層。其操作主要是藉由兩種不同的電流脈波施加至元件上，使得元件由於歐姆加熱的效應，導致局部區域因不同的溫度變化而產生結晶和非結晶兩種狀態，最後藉由元件操作在結晶態和非結晶態之間的電阻差異來達到...
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