就未來InP、GaAs、SiGe與Si（CMOS）在射頻領域的應用趨勢，單就材料面來看，如ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductor；國際半導體技術藍圖）所示（詳見圖一），以材料應用頻譜來看，在矽製程技術不斷快速進步下，Si或SiGe的應用將進一步往高頻擴展。其中SiGe將朝以往被GaAs所主宰的高頻應用（10~40GHz）發展；...
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