光阻經由照射之後，會產生化學反應，再經由顯影(Developing)的製程將圖案定義在基材上，目前常用的顯影液為TMAH(Tetra methyl ammonium hydroxide) 氫氧化四甲基銨，化學式為(CH3)4NOH。經照射後因照射區與非照射區在顯影液中溶解度不同，顯影液可將易溶的部份溶解，而達顯影的目的，當光阻為正型時，照射區產生化學反應，主鍵斷鍵並發生極性變化，非照區則不易溶解於...
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