隨著手機、數位相機等可攜式電子系統產品的發展，其記憶體特性需要非揮發性、大容量、高速率資料傳輸、長時間使用等，而目前此類記憶體的主流為Flash。Flash儲存資料是利用電壓的改變，使電荷通過Tunneling Oxide而儲存在Floating Gate中。以此方式使Flash發展帶來一些限制，例如Tunneling Oxide厚度需要8奈米以上(造成微縮技術不易)，及電荷反覆通過Tunneli...
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